变革SSD!不怕掉电的全新内存来也
专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布,继去年底首次提供预产样品之后,现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。 MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,当同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的有点。 STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入,具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点,但容量密度提升困难。 早在2012年的时候,Everspin就发布了第一代STT-MRAM,40nm工艺制造,封装在一颗DDR3标准模块中,兼容JEDEC DDR3-800,但容量只有256Mb(32MB),使其主要只能用
2019-06-26 14:55:07