台积电揭晓5nm工艺制程:EUV极紫外是最大难关!
说到工艺制程,目前台积电与三星已经开始量产7nm了,而更进一步则是5nm级别,台积电近日首次公开了5nm部分关键指标,但事情进展不是很乐观。 明年,台积电的第二代7nm工艺制程将会在部分非关键层面上首次尝试利用EVU极紫外线光刻系统,工艺节点从CLN7FF升级至CLN7FF+,而晶体管密度将增加20%,在同样密度与频率下可降低10%。 然而下一代的5nm(CLN5)制程,台积电将继续使用荷兰ASML Twinscan NXE:3400 EUV光刻系统,全面扩大EUV使用范围,这相比第一代7nm晶体管密度,可增加80%(第二代为50%)。 不过在性能的提升上,并没有这么爽快。仅仅只是提升15%的频率,同等密度和频率时功耗只能降低20%,这样来说对比第二代7nm工艺,提升并不大。经了解台积电提供了一个名为
2018-05-10 10:51:00