准确率98%!三星全球首秀MRAM磁阻内存内计算
三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存内计算(In-Memory Computing),进一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿领域。在传统的计算体系中,内存中的数据要转移到处理芯片的数据计算单元中进行处理,对于带宽、时延要求非常高。内存内计算则是一种新的计算模式,也可以叫做“存算一体化”,在内存中同时执行数据存储、数据计算处理,无需往复移动数据。同时,内存网络中的数据处理是以高度并行的方式执行,因此提高性能的同时,还能大大降低功耗。对比其他存储器,MRAM磁阻内存在运行速度、寿命、量产方面都有明显优势,功耗也远低于传统DRAM,关键是还具有非易失的特点,即断电不会丢失数据。不过一直以来,MRAM磁阻内存很难用于内存内计算,因为它在标准的内存内计算架构中无法发挥
2022-01-13 13:32:16