半导体新秀一骑绝尘 三星2021年量产3nm
在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时,三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上,三星宣布四种FinFET工艺,涵盖了7nm到4nm,再往后则是3nm GAA工艺了,通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面积缩小45%。 目前先进半导体制造工艺已经进入10nm节点以下,台积电去年率先量产7nm工艺,但没有EUV光刻工艺,三星则选择了直接进入7nm EUV工艺,进度上要比台积电落后一年,不过三星现在要加速追赶了。 除了7nm FinFET工艺之外,三星还规划了另外三种FinFET工艺——6nm、5nm、4nm,今年将完成6nm工艺的批量生产,并完成4nm工艺的开发。 今年4月份将完成5nm工艺的产品设计,下半
2019-05-15 14:52:31