三星的内存蓝图 称15nm是工艺制程物理极限
三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15纳米可能是DRAM制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。 韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18纳米DRAM,目前正研发17纳米DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16纳米DRAM开发小组,目标最快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后。 三星从20纳米制程(28→25→20),转进10纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。 三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung
2017-04-20 18:09:46