长鑫存储计划今年进军DDR5市场， 目前正努力提高晶圆产能

长江存储是国内专攻3D NAND闪存芯片的厂商，其Xtacking 2.0架构已用于制造128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，以及128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片。去年国外有机构在拆解后认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争，技术上已赶上其他领跑者。而长鑫存储的主攻方向则是DRAM芯片，目前是国内最大且唯一一家能够制造DDR4/LPDDR4内存芯片的厂商，此前FORESEE、威刚和朗科的DDR4内存都已先后采用其DDR4内存芯片。

据报道，长鑫存储正在DDR5内存方面努力，目前已成功试产DDR5内存芯片，务求在年底前实现量产。长鑫存储希望在真正量产的时候，可以推出17nm甚至更先进工艺制造的DDR5/LPDDR5内存芯片。

近期长鑫存储获得了新的投资，使其有更多的资金用于研发并扩充产能。长鑫存储计划在2022年将晶圆产能翻一番，达到每月120000片，中长期目标为300000片。虽然长鑫存储的晶圆产能看起来似乎提高了不少，但与同行相比仍然有一段距离，比如美光的晶圆产能为每月2000000片。

长鑫存储此前与Polaris Innovations Limited签署了专利协议，使其可以利用奇梦达（Qimonda）的DRAM技术，而奇梦达曾是世界第二大DRAM制造商。随后长鑫存储又与Rambus合作，通过专利许可协议获得了不少DRAM专利。虽然双方都没有公布交易的细节，不过作为一项长期协议，至少会持续数年的时间，这使得长鑫存储的产品组合变得更加多样化。