SK海力士公开全球首款4D NAND芯片：TLC 512Gb

　　在大家正在热火朝天讨论着3D NAND堆叠技术时，三巨头之一SK海力士站了出来，宣布他们将推出首款4D NAND的闪存芯片，并且在年末出样式！

　　SK海力士在美举办的Flash Memory Summit已经拉下帷幕，其中最值得一提的是这次推出的全球首款4D NAND技术！

　　首先SK海力士先展示了3D NAND的技术线路，决定使用CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。然而三星、东芝/西数已经早早运用到该技术了，虽然晚人一步，但SK海力士有着3D Xpoint，CTF也不是特别重要。

　　之后SK海力士公开发布了全球首款4D NAND闪存，从技术展示来看与昨天我们提到的长江存储Xtacking有些许相识，只不过外围电路（PUC，Peri.Circuits）在存储单元下方，好处有三点，一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

　　在参数方面，SK海力士将在年末推出第一款4D闪存芯片 V5 512Gb TLC，采用96层堆叠技术、I/O接口速度达到1.2Gbps、面积为13平方毫米。

　　对于封装来说，BGA封装能够做到1Tb（128GB），模组最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出样。性能方面，V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。

　　另外，V5 4D也规划了QLC闪存，通过96层堆叠，单Die最小1Tb，明年下半年出样。

　　目前来说，SK海力士已经掌握4D NAND堆叠技术能够达到128层，可以做到单芯片到达512GB，在未来2025年做到单芯片达到8TB！

　　3DM硬件频道点评：

　　对于堆叠技术来说，QLC颗粒显然堆叠空间更胜一筹，但是SK海力士功夫太好，研究出了4D NAND技术，不仅连QLC芯片也运用上，甚至TLC芯片也有分羹！我们知道QLC颗粒最大的问题就是读写寿命太短了，这对于频繁使用的人来说，会受不了。而TLC虽然比QLC寿命要高一些，但实际来说也不过如此，所以未来存放重要资料还是放在云里比较合适，这也是存储厂商们的所想。重要资料上传云，毕竟5G时代快到了，上传下载如同秒速，像是游戏、软件等等大容量文件放在寿命低、容量巨大的固态硬盘上更为合适。