长江存储新架构能让NAND速率超越三星两倍！

　　近日出现存储方面的新闻频率相当高，这也是新技术QLC的闪存研发终于可以实现量产了，而其中存储界的巨头三星推出的第五代V-NAND自主研发的闪存颗粒，让人惊喜，第五代版本进行了更加优化的研发设计，达到了96层的堆叠技术，内部集成850亿个存储单元，每单元可以保存3比特的数据，以单Die容量来说可以达到256Gb（32GB），传输速率可以达到1.4Gbps，对比上一代64层提升了40%。

　　国内存储研发企业长江存储科技在周一公布了Xtacking架构的关键细节，该架构用于3D NAND闪存芯片该技术涉及使用两个晶圆构建NAND芯片：一个晶圆包含基于电荷陷阱架构的实际闪存单元，另一个晶圆采用CMOS逻辑。

　　事实上，传统的NAND闪存技术是制造商使用单一工艺技术在一个晶片上产生存储器阵列以及NAND逻辑（地址解码，页面缓冲器等）。

　　然而长江存储打算使用不同的工艺技术在两个不同的晶圆上制作NAND阵列和NAND逻辑，然后将两个晶圆粘合在一起，使用一个额外的工艺步骤通过金属通孔将存储器阵列连接到逻辑。

　　而长江存储所公开的Xtacking架构则是使NAND获得超快的I/O接口速度，同时最大化内存阵列密度。他们表示利用Xtacking架构后64层的3D NAND芯片的I/O接口速度为3Gbps，比三星V-NAND快两倍，比主流3D NAND快三倍。

　　长江存储还表示Xtacking架构将允许3D NAND最大化容量，同时能够最小化芯片尺寸。意义就是实现允许容纳更大的容量规格，同时还能缩小尺寸，一箭双雕。

　　长江存储没有公开3D NAND光刻节点，只是公布XMC工厂生产内存和逻辑，并称外围逻辑晶元将使用180nm制程加工。

　　由于两种晶圆均采用成熟的制造技术进行加工，因此长江存储不需要非常高的混合和匹配覆盖精度来将它们粘合在一起并形成互连通孔。

　　3DM硬件频道点评：

　　一般来说，存储颗粒制造商倾向于将模具尺寸保持在较低的水平，以提高竞争力和盈利能力。对于2D NAND来说，在涉及到通常的Gb/mm2指标时，抛开所有复杂性和产率，较小的芯片会让晶圆成本分散在更多芯片上，进而在成本方面获胜。而随着晶圆在化学气相沉积（CVD）机器上花费更多时间，3D NAND技术变得更加复杂，因此晶圆厂加工的晶圆数量以及晶圆本身的成本不再是至关重要的指标。对于长江存储企业来说，通过架构将控制逻辑放入内存数据中，使其NAND密度最大化，光是这点就已经是相当重要了。