三星公布5nm、4nm、3nm制程 更换新晶体管架构

　　在美国举行的SFF 2018 USA三星制程讨论会上，三星全面公开宣布5nm、4nm、3nm未来制程计划，直达物理极限！并且高性能低功耗相互兼顾。

　　7LPP（7nm Low Power Plus）是属于三星首次将在该项目中使用EUV极紫外线光刻技术，并且在今年下半年开始投产，而关键部分IP正在研发中，预计明年上半年完成。

　　5LPE（5nm Low Power Early）不仅7nm即将进行，三星还将目光放至未来，在原有的7LPP基础上继续创新，进一步缩小晶片核心面积，并且拥有更低的功耗。

　　4PE/LPP（4nm Low Power Early/Plus）通过FinFET立体电晶管技术，结合5LPE制程的成熟技术，让晶体面积更小化，性能更高。达到能够高良率量产。

　　3GAAE/GAAP（3nm Gate-All-Around Early/Plus）3nm已经是达到了物理的极限，当中的Gate-All-Around就是环绕栅极，相当于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计，并且重新设计晶体管底部结构，克服技术物理，让性能达到极限，那它后面的GAAP技术就是MBCFET技术也就是Multi-Bridge-Channel FET)。

　　3DM硬件频道点评：

　　可能大家会认为是三星的这些制程研究，就是为了生产移动处理器、桌面处理器，但实际上三星的野心已经提前放在了“大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习”等等领域上，并且为今后的服务与解决方案三星都已经有所准备了。不仅是在闪存颗粒上已经称霸，三星将欲望之手伸向了未来。