intel宣布与美光合作将“到此为止”,其意思,与美光闪存合作将发生关键性的变化。
据报道,双方将在今年2018年继续生产第三代3DNAND(预计96层)的研发、生产合作,一直持续到2019年初之后将分道扬镳,各做各闪存芯片。
目前,双方还在对第二代3DNAND64层闪存芯片进行增产工作,intel强调,双方都认为,分开之后能够抽出更多的精力优化自身产品、服务客户,并不会对路线图技术节点等造成较大的影响。
至于重要的部分就在3D XPoint傲腾闪存,intel称,它们仍然会在犹他州的Lehi工厂进行研发和制造。
据资料显示,2012年intel与美光成立了合资企业IM Flash Technologies(IMFT),孕育的首款闪存是72nm NAND。在那时候intel将IMFT工厂股份都卖给了美光,而仅保留了Lehi一个据点。此后双方开始各自兴建自己的生产线。
外媒认为Intel和美光的市场属性不同,Intel只愿意将闪存给自己的SSD用,而美光则急于参与全球竞争,把闪存卖给更多客户,尤其是手机厂商,这或许是“分手”的主要原因。
最后,其实本身美光已经就是巨头成员之一了,想要解手intel精力全放在闪存上,或许对缓解未来闪存的不足会是一件好事。
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