最低CL17时序!芝奇发布高端发烧级DDR4-4266MHz

时间:2017-11-27 09:55:49
  • 来源:3dmgame.com
  • 作者:JasonDang
  • 编辑:JasonDang

  近日,芝奇发布了高端发烧级内存条,最高频率可达4266MHz,速度惊人,内存芯片采用的是三星原产的BB-die IC颗粒,也是全球首款频率能达到这么高的水平。这款高端发烧级的内存条专门为 Intel Coffee Lake、Z370平台而优化的。

  我们先来说说内存时序的问题,通常内存时序(Memory timings或RAM timings)是描述内存性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写作四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。有时还会加入第五个参数:Command Rate(命令速率),通常为2T或1T。

  这些参数指定影响着随机存储器速度的潜伏时间(延迟时间),较低的数字通常意味着更快的性能,换句话说延迟降低了,决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间,通常单位为纳秒(ns)。

  说到低时序性能才能更快,如今的高端内存,时序能够控制在19-19-19-39就已经很好了,假如频率要很高,只能够通过牺牲时序,增加延迟时间,才能做到频率很高。

  我们可以看到,这次芝奇发布的三款不同频率的DDR4高端级别的内存条,不仅如此我们看到频率都十分高,都在4000MHz频率或以上,最高在4266MHz。容量有8GBx2、8GBx4的两种组合类型。

  上文中,我们提到了内存时序,我们可以在表上看到,4000MHz以上的高频内存条,内存时序达到了CL-17,而最低时序是17-17-17-37。可以说芝奇在这点上下了很多功夫。内存芯片还是采用三星原产颗粒芯片打造的,在质量上肯定也是相当好。

  其中,4×8GB DDR4-4266的时序为17-18-18-38,电压1.45V,已经在华硕Maximus X Hero、Core i7-8700K平台上通过验证。

  2×8GB/4×8GB DDR4-4133/4000的时序均为17-17-17-37,电压分别为1.4V、1.35V,同样在华硕Maximus X Hero、Core i7-8700K平台上通过验证。

  据消息透入将在2018年1月开始上市。

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