Intel已被远远甩开！三星8/7/6/5/4nm工艺问世

　　曾几何时，Intel一直以自己领先业界的半导体工艺自豪，而如今，半导体工艺的行业巨头已经变成了三星，而现在的三星已经将自己产品的触角伸到了几乎每一个可以想象的消费场景。在目前Intel工艺停滞不前的时候，一些分析师认为韩国三星在今年的第二季度取代Intel成为行业最顶尖的芯片制造商。从三星表现出超大规模数据中心联网，并开发8nm，7nm，6nm，5nm引领行业，4nm和18nm FD-SOI在其最新的开发列表来看，新的三星路线图显示了，可能从硅介质的开发潜力或许会被三星尽数挖掘出来。

三星的最新工艺和解决方案包括：

8lpp（8nm Low Power Plus）

　　8lpp提供最有竞争力的规模效益转换到EUV（极紫外光刻）。结合三星的10nm技术工艺创新，8lpp提供了比10lpp更强的性能和栅密度区域。

7lpp（7nm Low Power Plus）

　　7lpp将第一半导体工艺技术使用EUV光刻技术的解决方案。最大的EUV光源功率250W，这是EUV大批量生产的最重要的里程碑。EUV光刻技术的部署将打破摩尔定律的阻碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。

6lpp（6nm Low Power Plus）

　　6lpp将采用三星独有的Smart Scaling的解决方案，这将被纳入7lpp EUV技术，极大的缩小芯片面积并带来超低功耗的好处。

5lpp（5nm Low Power Plus）

　　5lpp将突破FinFET结构的物理限制并实现下一代技术创新，为4lpp更好地缩小面积和降低降低功耗做铺垫。

4lpp（4nm Low Power Plus）

　　4lpp将首次实现筑mbcfettm结构（多桥通道FET）。mbcfettm是三星独特的gaafet（围栅场效应晶体管）技术，采用纳米芯片克服了FinFET架构的物理尺度和性能的局限性。

FD-SOI（硅材料全部潜力已被耗尽）

　　适用于物联网的应用，在前代28nm FD-SOI技术的基础上，集成RF、eMRAM，打造新一代18nm FD-SOI，获得更好的功耗、性能和面积表现。