两年前,Intel、镁光发布的3D XPpoint闪存引起不小轰动,而闪存大厂三星也坐不住了。近日,三星展示了一款Z-SSD硬盘,如图所示。
这款硬盘使用的是PCI-E 3.0 x4接口,容量800GB,连续读写速度可达3.2GB/s,随机读写可达75万、16万IOPS,延迟(原文推测具体是指读取延迟)比NVMe硬盘低了70%,这可能是得益于新的Z-NAND闪存,也可能是因为新的主控。
Z-SSD硬盘具备比普通NAND硬盘高得多的耐用性,特别是每cell单元存储更少的数据时——这里大概是说Z-SSD正常可能也是TLC(3bit per cell)类型的,但也可以使用MLC类型(2bit per cell),这时候的使用寿命会更高。
三星表态Z-SSD系列硬盘容量可达2TB、4TB,只不过目前展示这款容量还是800GB的,不过算上OP空间,它实际上很可能是1TB容量的。作为对比的是,Intel在消费级、企业级提供的Optane硬盘目前分别是16-32GB、375GB,至少在容量上三星的Z-NAND闪存会胜出。
京ICP备14006952号-1 京B2-20201630 京网文(2016)1650-207号 沪公网安备 31011202006753号未成年人举报:legal@3dmgame.com
CopyRight©2003-2018 违法和不良信息举报(021-54473036) All Right Reserved
玩家点评 (0人参与,0条评论)
热门评论
全部评论