长江存储新架构能让NAND速率超越三星两倍!
近日出现存储方面的新闻频率相当高,这也是新技术QLC的闪存研发终于可以实现量产了,而其中存储界的巨头三星推出的第五代V-NAND自主研发的闪存颗粒,让人惊喜,第五代版本进行了更加优化的研发设计,达到了96层的堆叠技术,内部集成850亿个存储单元,每单元可以保存3比特的数据,以单Die容量来说可以达到256Gb(32GB),传输速率可以达到1.4Gbps,对比上一代64层提升了40%。 国内存储研发企业长江存储科技在周一公布了Xtacking架构的关键细节,该架构用于3D NAND闪存芯片该技术涉及使用两个晶圆构建NAND芯片:一个晶圆包含基于电荷陷阱架构的实际闪存单元,另一个晶圆采用CMOS逻辑。 事实上,传统的NAND闪存技术是制造商使用单一工艺技术在一个晶片上产生存储器阵列以及NAND逻辑(地址解码
2018-08-08 10:19:32