SK 海力士采用最新内存颗粒96层4D NAND技术

　　随着64层堆栈3D NAND的大规模量产，全球6大NAND厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SK 海力士给他们的新内存颗粒起了个4D NAND的名字。在今年的FMS国际内存颗粒会议上正式宣告了业界首个采用CTF技术的4D NAND，日前他们又宣布4D NAND正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

　　根据SK 海力士之前公布的信息，所谓的4D NAND其实也是3D NAND，它是把NAND Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND，本质上其实还是3D NAND，4D NAND有很强的商业味道。

　　SK 海力士的4D NAND首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。至于QLC类型的，这个未来会是SK 海力士量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

　　韩联社报导称SK 海力士公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND相比，4D NAND的核心面积减少了30% ，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。根据官方所说，4D NAND今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。