SK 海力士采用最新内存颗粒96层4D NAND技术

时间:2018-11-06 09:29:52
  • 来源:3dmgame.com
  • 作者:JasonDang
  • 编辑:jasondang

  随着64层堆栈3D NAND的大规模量产,全球6大NAND厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK 海力士给他们的新内存颗粒起了个4D NAND的名字。在今年的FMS国际内存颗粒会议上正式宣告了业界首个采用CTF技术的4D NAND,日前他们又宣布4D NAND正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

  根据SK 海力士之前公布的信息,所谓的4D NAND其实也是3D NAND,它是把NAND Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND,本质上其实还是3D NAND,4D NAND有很强的商业味道。

  SK 海力士的4D NAND首先会量产TLC类型的,核心容量分别是512Gbt、1Tb,都是96层堆栈,IO接口速度1.2Gbps,不过两者的BGA封装面积是不一样的,1Tb版显然更大一些。至于QLC类型的,这个未来会是SK 海力士量产的重点,核心容量1Tb,但量产时间会在明年下半年,还需要一些时间。

  韩联社报导称SK 海力士公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND,TLC类型,核心容量512Gb,与现有的72层堆栈3D NAND相比,4D NAND的核心面积减少了30% ,单片晶圆的生产输出增加了50%,而且性能也更强——读取速度提升30%,写入速度提升25%。根据官方所说,4D NAND今年内会量产,而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂,总投资高达15万亿韩元,约合135亿美元。

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